半导体生产废气、电子厂废气的形成
半导体生产制造历程可以分为3个阶段：晶体质料生产阶段、种种型号晶片制造阶段和组装阶段，，，，，，其中污染轻的组装阶段仅涉及组装工艺，，，，，，污染较为严重的是晶片制造阶段 。。 。。。。。。
洗濯工艺为保存芯片外貌特征，，，，，，接纳化学溶液有用的扫除半导体硅片外貌的灰尘、残留有机物和吸附在外貌的种种离子，，，，，，主要爆发种种废气及废液 。。 。。。。。。晶圆键合以有无中心过渡层可分为直接键合和中心层键合，，，，，，而直接键合方法具有键合强度高的优势，，，，，，是现在应用的主流，，，，，，键合工序污染较小仅爆发废水 。。 。。。。。。
氧化是在高温惰性情形下，，，，，，通入氧气或含氧水汽，，，，，，将硅片外貌的硅氧化生长氧化层，，，，，，历程一样平常是将作为质料的硅晶圆片放入清洁的石英炉管中，，，，，，主要爆发工艺废气 。。 。。。。。。光刻是芯片制造的焦点工艺，，，，，，包括涂胶、曝光、显影3个办法 。。 。。。。。。涂胶工艺是掺杂的历程主要接纳离子注入手艺举行掺杂，，，，，，以改变所使用的质料的电学性子，，，，，，在电子喷淋装置中，，，，，，用氙气爆发的等离子体中和硅片外貌的正电荷，，，，，，主要爆发工艺废气 。。 。。。。。。
在硅片的外貌通过硅片高速旋转从而使其外貌匀称地涂上光刻胶 ；；；；；；曝光工艺为使用光刻机，，，，，，并使用光掩膜版对已涂胶的硅片举行光照，，，，，， ；；；；；；显影工艺为去除曝光后硅片上的光刻胶，，，，，，这些历程爆发污染较大，，，，，，爆发废气、废水、固体废物 。。 。。。。。�？？？？？？淌词忠罩饕治酱罄啵阂禾氖ǹ淌春推母煞ǹ淌� 。。 。。。。。。干法刻蚀：干法刻蚀也是一种去除光刻胶未笼罩区域的薄膜的主要爆发工艺废气 。。 。。。。。。
半导体生产废气、电子厂废气特征
半导体工业在加工的历程中会使用到光刻胶、蚀刻液、洗濯剂、显影剂等溶剂，，，，，，而这些溶剂是含有大宗的有机物因素，，，，，，排放出来的废气含有HCl、氨、HF等危险污染物，，，，，，而主要处置惩罚的是具有挥发性的VOCs 。。 。。。。。。
温馨提醒：VOCs污染物为有机化合物，，，，，，在浓度较高且有火花或静电情形下，，，，，，极易爆发闪爆征象 。。 。。。。。。
半导体在制造历程中一样平常的污染源包括颗粒污染物、金属离子和化学物质等，，，，，，而这些都是属于有害的污染物 。。 。。。。。。
VOC废气处置惩罚可使用如下工艺装备
1. UV光解催化氧化法、低温等离子法、活性炭净化法、混淆处置惩罚法
2. 催化燃烧处置惩罚法（CO）
3. 蓄热式催化燃烧法（RCO）
4. 沸石转轮+CO/沸石转轮+TO/沸石转轮+RCO/沸石转轮+RTO
